[发明专利]一种非晶硫化钴纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 202010197337.1 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111362316B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 于琪瑶;王伟;胡俊;锁国权;方岱宁 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00;B82Y40/00;C01B32/15;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) 11513 | 代理人： | 卫安乐 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶硫化钴纳米线及其制备方法，该非晶硫化钴纳米线包括一碳纳米框限域结构以及填充于该碳纳米框限域结构内的非晶硫化钴纳米线丝，该方法能够简单、高效、低成本地制备该非晶硫化钴纳米线，且制备的非晶硫化钴纳米线具有较高的导电性和较大比表面积，在离子电池领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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