[发明专利]一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202010186065.5 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111270210B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 闻明;张仁耀;管伟明;郭俊梅;谭志龙;王传军;沈月;许彦婷;毕珺;普志辉 | 申请（专利权）人： | 贵研铂业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/105;B22F3/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 | 代理人： | 姜开侠;姜开远 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法，钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10μm，氧含量100 ppm以内；所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10μm的钌粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得钌溅射靶材性能优异，高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高生产效率，极大地节约制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 定向 取向 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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