[发明专利]电阻式存储器和操作存储器的方法在审
| 申请号： | 202010180860.3 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN112242164A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 白钟民;金真怜;辛埈昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 史泉;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种电阻式存储器和操作存储器的方法。所述电阻式存储器包括：存储器单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括多个电阻式存储器单元，所述多个电阻式存储器单元结合到多条字线和多条位线。写入/读取电路通过行解码器和列解码器结合到存储器单元阵列，写入/读取电路执行将写入数据写入存储器单元阵列的目标页中的写入操作，并通过将从目标页读取的读取数据与写入数据进行比较来验证写入操作。控制电路控制行解码器、列解码器和写入/读取电路中的至少一个，以基于地址根据从接入点到存储器单元阵列中的选择的存储器单元的距离控制选择的存储器单元经受的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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