[发明专利]反应器歧管在审
申请号: | 202010179812.2 | 申请日: | 2020-03-16 |
公开(公告)号: | CN111719138A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | D·南德瓦纳;J·L·温科;E·J·希罗;T·R·杜纳;C·L·怀特 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 张秀芬 |
地址: | 荷兰,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文公开了与半导体处理装置相关的系统和方法,所述半导体处理装置包括歧管,所述歧管包括构造成将气体递送到反应腔室的开孔,所述歧管包括第一块,所述第一块安装到第二块,第一安装块和第二安装块协作以至少部分地限定开孔。供应通道提供气体源与开孔之间的流体连通,且所述供应通道至少部分地设置于第二块中。金属密封件围绕开孔设置在所述第一块与所述第二块之间的界面处。有利地,金属密封件改善所述第一块与所述第二块之间的界面之间的密封。 | ||
搜索关键词: | 反应器 歧管 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的