[发明专利]纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开一种纳米复合堆叠锌锑‑锗碲相变存储薄膜及其制备方法，该存储薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为ZnSb(a)/GeTe(b)，其中a和b分别表示ZnSb薄膜和GeTe薄膜的厚度，且1a49 nm，1b49 nm。本发明通过磁控溅射的方法对结晶温度高的Zn‑Sb材料和相变速度快的Ge‑Te材料进行交替溅射以制备出一种纳米复合堆叠相变存储薄膜，克服了单层相变材料各自的缺陷，实现优势互补后的纳米复合多层Zn‑Sb/Ge‑Te相变存储薄膜兼有热稳定性高和相变速度快的优点，且相变性能可以通过Zn‑Sb和Ge‑Te的厚度比及堆叠次序等参数进行进一步调控。