[发明专利]纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜，其特征在于，总厚度为40-60 nm，结构通式为ZnSb(a)/GeTe(b)，其中a和b分别表示ZnSb薄膜和GeTe薄膜的厚度，且1a49 nm，1b49 nm。

2.如权利要求1所述的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1）清洗薄膜衬底基片；

2）安装好溅射靶材GeTe和ZnSb，先后开启机械泵和分子泵抽真空；

3）设定溅射气体流量、腔内溅射气压、靶材的溅射功率；

4）采用室温磁控溅射方法制备纳米复合堆叠ZnSb(a)/GeTe(b)相变存储薄膜：

（a）将基片旋转到GeTe靶位，开启GeTe的溅射电源，开始溅射GeTe薄膜，GeTe薄膜溅射完成后，关闭GeTe的交流溅射电源；

（b）将基片旋转到ZnSb靶位，开启ZnSb的溅射电源，开始溅射ZnSb薄膜，ZnSb薄膜溅射完成后，关闭ZnSb的交流溅射电源。

3.如权利要求2所述的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1）中具体清洗薄膜衬底基片的过程为：

（a）将基片置于乙醇溶液中，用超声清洗10分钟，去基片表面灰尘颗粒以及无机杂质；

（b）将基片置于丙酮溶液中，用超声清洗10分钟，去基片表面有机杂质；

（c）将基片置于去离子水中，用超声清洗10分钟，再次清洗表面；

（d）取出基片，用高纯N₂吹干表面和背面，放置在干燥箱内待用。

4.如权利要求2所述的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1）中所用薄膜衬底基片为SiO₂/Si(100) 、石英或硅基片。

5.如权利要求2所述的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2）中抽真空后真空度低于2×10^-4Pa。

6.如权利要求2所述的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3）中设置的交流电源溅射功率为15~50 W，溅射气体流量为25~50 SCCM，溅射气压为0.2~0.4 Pa。

7.如权利要求2所述的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜的制备方法，其特征在于，制备该纳米复合堆叠ZnSb(a)/GeTe(b)相变存储薄膜时，调整ZnSb和GeTe的厚度比后，材料的热稳定性得到可靠调控。