[发明专利]基于铌酸锂波导光路的集成光学芯片以及集成光学组件在审
| 申请号： | 202010168246.5 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112833872A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 魏莲侠 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G01C19/72 | 分类号： | G01C19/72;G02B6/12;G02F1/035 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300401 天津市北辰区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铌酸锂波导光路的集成光学芯片以及集成光学组件。本发明提供的集成光学芯片具有导波、起偏、分束、合束、相位调制等多种功能，通过制作成阵列式波导光路实现了三轴光纤陀螺的多个光器件的高度集成，并采用阵列式的光纤耦合结构实现了集成光学芯片的组装。采用本发明提供的方案，三轴光纤陀螺的光器件数量可以大幅减少，提升了三轴光纤陀螺系统的可靠性和总体性能、降低了制造成本和装配难度。本发明提供的集成光学芯片以退火质子交换波导为基础，因而兼具有传统铌酸锂波导器件的光学损耗低、热稳定性高、可靠性高、制备工艺成熟等显著特点，十分有利于提升集成光学组件的工程应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 波导 集成 光学 芯片 以及 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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