[发明专利]三维存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010167154.5 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111341786B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张中;张坤;吴林春;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/20 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包含一衬底、一存储堆叠层、多个存储串及第一共源结构。所述存储堆叠层设置于所述衬底上。所述存储堆叠层包含多个导电层/绝缘层对。所述多个存储串垂直地延伸穿过所述存储堆叠层。所述第一共源结构包含垂直地延伸穿过所述存储堆叠层的两第一共源极，及设置于所述两第一共源极之间的第一支撑结构。在所述三维存储器的制造方法中，先形成第一支撑结构，用以在后续的两第一共源极形成的过程中支撑邻近的堆叠层，避免所述存储块倾斜及/或变形。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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