[发明专利]磁控管溅射装置用旋转式阴极单元在审
| 申请号： | 202010162332.5 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111500994A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 斋藤修司 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在靶(Tg)的母线方向全长上均匀侵蚀靶的磁控管溅射装置用旋转式阴极单元(RC)。设置在圆筒状的靶内，产生从靶表面泄漏的磁场且通过磁场的垂直分量为零的位置的线沿靶的母线延伸并封闭成跑道形的磁铁单元(Mu)分为：在靶的母线方向两端分别形成跑道的拐角部的第一部分(5a)、从第一部分在靶的母线方向内向与第一部分分别相邻配置的第二部分(5b)、以及位于第二部分彼此之间的第三部分(5c)。使第一部分～第三部分独立并可相对于靶表面接近远离地进退的移动装置(6)收纳在靶的内部空间中。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控管 溅射 装置 旋转 阴极 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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