[发明专利]用于解决不同图案密度区域处的外延生长负载效应的方法

摘要

本公开描述了用于减小低图案密度区域和高图案密度区域之间的负载效应的方法和图案化器件。图案化器件包括衬底、衬底之上的第一绝缘层、低图案密度区域、高图案密度区域、第二绝缘层和外延生长层。低图案密度区域包括第一绝缘层和衬底中的第一沟槽。高图案密度区域包括第一绝缘层和衬底中的第二沟槽。在第一沟槽中形成第二绝缘层。在第二沟槽中形成外延生长层。第一沟槽具有比第二沟槽大的截面面积。