[发明专利]PECVD射频馈入电极系统及PECVD装置在审
申请号: | 202010157431.4 | 申请日: | 2020-03-09 |
公开(公告)号: | CN111218674A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 邓必龙;郑利勇 | 申请(专利权)人: | 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;潘登 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及化学气相沉积技术领域,具体公开了一种PECVD射频馈入电极系统及PECVD装置,该PECVD射频馈入电极系统包括射频电极片、第一电极、第二电极和两个通断控制组件,第一电极与第二电极的沿延伸方向呈夹角设置;通断控制组件包括静触端、动触端和驱动件,两个静触端均与射频电极片连接,且两个动触端分别与第一电极和第二电极连接,驱动件驱动动触端在第一位置和第二位置之间切换,可实现动触端与静触端连接或分离,因此通过对两个通断控制组件的动触端与静触端进行控制,无需拆装,即可使射频电极片与不同延伸方向第一电极或第二电极的单独连通,可有效提高工作效率。 | ||
搜索关键词: | pecvd 射频 电极 系统 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的