[发明专利]形成边界单元的方法、集成电路以及集成电路装置在审
申请号: | 202010150137.0 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN111950224A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 张育荣;蔡旻原;杨稳儒 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供边界单元。确定电路的第一功能单元的边界。沿着所确定的边界的第一部分布置第一多个第一类型伪单元。第一部分在第一方向上延伸。每个第一类型伪单元包括第一预定义尺寸。沿着所确定的边界的第二部分布置第二多个第二类型伪单元。第二部分在第二方向上延伸。每个第二类型伪单元包括第二预定义尺寸。第二预定义尺寸与第一预定义尺寸不同。本发明的实施例还涉及形成边界单元的方法、集成电路以及集成电路装置。 | ||
搜索关键词: | 形成 边界 单元 方法 集成电路 以及 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010150137.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:垂直存储器件及其制造方法
- 下一篇:半导体装置的形成方法