[发明专利]一种基于声子晶体的MEMS热电器件制备方法在审
| 申请号： | 202010144775.1 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113363375A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王晓东;马哲;张明亮;魏江涛;杨亮亮;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王中苇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于声子晶体的MEMS热电器件制备方法，包括：S1，在SOI衬底的顶层硅上刻蚀出热电转换结构(100)，热电转换结构(100)包括一连接部以及连接于连接部两端的两端部；S2，在步骤S1所得结构的上表面生长氮化硅膜(102)；S3，刻蚀氮化硅膜(102)以形成支撑臂和支撑岛；S4，在支撑岛上沉积第一金属(103)，并刻蚀第一金属(103)以形成金属图形；S5，在支撑臂上沉积第二金属(104)，通过退火工艺使得第二金属(104)与顶层硅形成欧姆接触；S6，在热电转换结构(100)的连接部制备声子晶体；S7，在步骤S6所得结构的上表面和SOI衬底的下表面生长掩膜层；S8，刻蚀下表面至SOI衬底的埋氧层(101)；S9，去除埋氧层(101)；S10，去除上表面掩膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 晶体 mems 热电器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010144775.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
