[发明专利]高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构在审
| 申请号： | 202010134135.2 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111403471A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡莹;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808;H01L27/02;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构，涉及半导体制造领域。该JFET器件包括衬底、N型深阱、设置在N型深阱内的P型阱；P型阱内设置有第一P型区和第一N型区，第一P型区和第一N型区引出后短接形成JFET器件的栅极；N型深阱内设置有第二N型区，第二N型区引出后形成JFET器件的源极；在N型深阱的表面还设置有场氧；N型深阱内存在电流密度调节区，且电流密度调节区位于JFET器件的栅极和源极之间，电流密度调节区由若干个N型深阱段横向推连形成；解决了现有JFET器件改变开态耐压时关态耐压也发生变化的问题；到达了提高JFET器件的开态耐压，同时不影响关态耐压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 jfet 器件 及其 制造 方法 版图 结构 | ||
【主权项】：
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