[发明专利]一种超级电容拓扑结构及其充放电控制方法和装置有效
| 申请号： | 202010126625.8 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111262295B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李恒;孟志强;张晓勇;蒋富;杨迎泽;刘伟荣;彭军;黄志武;陈彬;张瑞 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H01G11/10;H01G11/08;H01G11/14 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 龚燕妮 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级电容拓扑结构及其充放电控制方法和装置，其中的超级电容拓扑结构包括包括m个依次串接的串联支路，每个串联支路包括n个相互并接的并联支路和并接于并联支路上的并联开关，每个并联支路由1个超级电容模块和1个串联开关串接构成。在使用该拓扑结构所构成的储能系统为外部装置充放电之前，根据外部装置的额定电压和额定电流计算所需的并联支路数量和串联支路数量，再通过串联开关和并联开关实现拓扑结构重构，为外部装置输入/输出最匹配的功率从而提高能量利用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 电容 拓扑 结构 及其 放电 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
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