[发明专利]快速热退火设备的腔体的漏氧及温度监控的方法及系统在审
| 申请号： | 202010120728.3 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314434A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 归剑;王海红 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种快速热退火设备的腔体的漏氧及温度监控的方法及系统，其中方法包括以下步骤：将放入Ti片的腔体升温至723℃～727℃，保持50至70秒；测量Ti片的方块电阻的阻值和方块电阻阻值的均匀性；判断Ti片的方块电阻的阻值是否大于等于3.3Ω/方块且小于等于10Ω/方块，并且判断所述Ti片的方块电阻的阻值的均匀性是否大于等于2.65％且小于等于26％；若是则腔体不漏氧且温度准确。本发明使用一片Ti片SPC快速升温至工艺温度保持短暂时间，测量Ti片的方块电阻的阻值和方块电阻阻值的均匀性即可得出结果；测试时间短，检测工艺简单有效，能够及时发现腔体是否漏氧，准确监控腔体温度，保证工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 退火 设备 温度 监控 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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