[发明专利]晶片外驱动器结构在审
申请号: | 202010119712.0 | 申请日: | 2020-02-26 |
公开(公告)号: | CN112670283A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 刘芳妏;吕增富 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/02 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;董云海 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶片外驱动器结构,包含多个上拉晶体管、多个下拉晶体管、多个第一类型的第一区域、多个第二类型的第二区域,以及多个电阻元件。第一区域和第二区域交错形成静电保护电路。多个电阻元件中的一个耦接上拉晶体管中的一个或下拉晶体管中的一个。电阻元件配置在第一区域和第二区域之间。通过设置电阻元件在静电保护二极管的P型掺杂区和N型掺杂区之间,可减少晶片外驱动器电路的整体布局面积。 | ||
搜索关键词: | 晶片 驱动器 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的