[发明专利]一种基于并行使用的双片NAND FLASH坏块管理方法有效
| 申请号： | 202010118410.1 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113311989B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨诚 | 申请（专利权）人： | 北京君正集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02;G06F12/0891 |
| 代理公司： | 北京嘉东律师事务所 11788 | 代理人： | 田欣欣 |
| 地址： | 100193 北京市海淀区西北旺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于并行使用的双片NAND FLASH坏块管理方法，包括以下步骤：S1，在启动过程中，分别对两片NAND FLASH的所有物理擦除块进行扫描，对应构建两个链表，分别用表a和表b表示，每个链表对象至少包含“块序列号”信息，根据坏块信息创建BBT；S2，建立逻辑擦除块和物理擦除块之间的关联，创建逻辑块关联表，用表p表示，表中每个节点用来描述逻辑擦除块分别对应的两个NAND FLASH的物理擦除块的块序列号；S3，如果在使用过程中产生坏块，BBT标记坏块完成后，根据逻辑擦除块的块序列号，更新表a或表b中对应的有效标志为无效，然后去尾节点倒序遍历坏块所在的NAND FLASH中纯净的块将表p中对应的坏块替换。通过本发明使并行的双片NAND FLASH的存储空间利用率达最大化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 并行 使用 nand flash 管理 方法 | ||
【主权项】：
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