[发明专利]一种超高真空进样与样品处理两用系统及处理方法有效
申请号: | 202010113772.1 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111304623B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 潘毅;吴迪;袁玺惠;闵泰 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/46;C23C14/58;C23C14/52;G01N23/2005;G01N23/20058 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 姚咏华 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种超高真空进样与样品处理两用系统及处理方法,主要包括主腔体、样品存储与加热台、波纹管式直线导入器、观察窗、手阀、热阴极离子规、离子溅射源、旁抽角阀、洗气角阀、支撑架。主腔体具有多个超高真空紧密封法兰口,依次连接波纹管式直线导入器、观察窗、手阀、热阴极离子规、离子溅射源、真空抽气系统、洗气系统,在主腔体下方设有支撑架。该系统能够在保证达到超高真空标准的前提下,用一个腔体集成多样品进样和基片处理两个功能,其中基片处理主要采用惰性气体离子溅射轰击和退火的方法,得到洁净度高、性能优越的薄膜样品。 | ||
搜索关键词: | 一种 超高 真空 样品 处理 两用 系统 方法 | ||
【主权项】:
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