[发明专利]GaN毫米波功率放大器芯片生产用腐蚀液及其制备方法有效
| 申请号： | 202010112751.8 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111235578B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 邹伟民;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 江苏传艺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/28 | 分类号： | C23F1/28;C23F1/30;B01F7/32;B01F15/06;B01D29/03;B01D29/50;B01D29/96;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 杨润 |
| 地址： | 225600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开GaN毫米波功率放大器芯片生产用腐蚀液及其制备方法，由下述重量份原料制备得到：40‑65份醋酸，10‑35份硝酸，1‑5份表面活性剂，1‑5份分散剂，1‑5份络合剂，4‑8份重铬酸钾，80‑100份去离子水。本发明通过以非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂复配混合物的添加，有效增加制备得到的腐蚀液的氧化性，通过添加分散剂、络合剂，使得各原料在搅拌过程中得以充分分散以及混合，通过氨气的通入以及内盘管的冷却，减少表面活性剂用量即可得到较低的张力。 | ||
| 搜索关键词： | gan 毫米波 功率放大器 芯片 生产 腐蚀 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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