[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题在于针对构成为具有振动的膜的半导体器件，提供使该膜对振动的耐受性提高的技术。作为形成可振动绝缘膜的工序，至少具备形成第一硅氧化膜的工序、形成第一硅氮化膜的工序、形成第二硅氧化膜的工序、和形成第二硅氮化膜的工序，使用下述衬底处理装置进行上述各工序，所述衬底处理装置构成为对具有上部电极及下部电极的处理室进行气体供给，并且构成为利用开关切换来选择性地对上部电极和下部电极中的各自供给高频电力或低频电力中的任一者。