[发明专利]一种用于透射电镜原位表征的CVD芯片及其使用方法在审

专利信息
申请号: 202010092287.0 申请日: 2020-02-14
公开(公告)号: CN111272781A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 贺龙兵;谢君;杨宇峰;朱炯昊;陈文轩;朱智涵;吕炳融 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01N23/04 分类号: G01N23/04;G01N23/20008
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 刘莎
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种用于透射电镜原位表征的CVD芯片,该CVD芯片包含底板芯片与盖板芯片。底板芯片包含硅片基底,沉积在硅片基底上的绝缘层薄膜,沉积在绝缘层薄膜上的低温区电极与高温区电极,沉积在电极表面的隔离层薄膜,刻蚀在低温区和高温区的两个观察窗口,刻蚀在硅片基底中的镂空区;盖板芯片包括硅片基底,沉积在硅片基底上的支撑薄膜,刻蚀在支撑薄膜中的观察区,刻蚀在硅片基底中的镂空区,镂空区覆盖观察区。把用于CVD生长的源材料置于高温区,把催化剂材料置于低温区,然后在隔离层薄膜外周区域粘上金属粘合剂,令支撑薄膜面向金属粘合剂,使盖板芯片和底板芯片对粘密封形成CVD芯片,装入匹配的透射电镜样品杆中观测使用。
搜索关键词: 一种 用于 透射 原位 表征 cvd 芯片 及其 使用方法
【主权项】:
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