[发明专利]一种氮化物器件在审
| 申请号： | 202010090467.5 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN113257908A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 苏州晶界半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市江苏省苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物器件,包括基板，由绝缘材料制成，所述绝缘材料具有由过孔电气连接的多个金属中间层；过孔，将所述基板从所述底面贯通至所述上表面；氮化物芯片，位于所述基板的所述上表面一侧，并所述氮化物芯片由所述的氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物插入层、氮化物势垒层、源极、漏极、栅介质层和栅极组成；过孔引出金属，设置在从所述基板的所述底面贯穿至所述上表面的过孔中；绝缘介质层，位于所述基板和所述氮化物芯片之间。本发明的优点在于：通过优化器件设计结构，有效抑制氮化物器件的电流崩塌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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