[发明专利]微波薄膜混合集成电路的制备方法有效
| 申请号： | 202010084967.8 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111276443B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 史光华;常青松;徐达;要志宏;王真;闫妍;张延青;王雪敏;杨阳阳;李玲;张慧芳;任淑敏;宋坤;杨会娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 薄膜 混合 集成电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010084967.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
