[发明专利]微波薄膜混合集成电路的制备方法

说明书

本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。

技术领域

本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。

背景技术

微波薄膜混合集成电路被广泛应用于微波功率放大器、功率合成、压控振荡器、衰减器、限幅器、耦合器、滤波器等微波器件的制作，其特点是薄膜电路正反面采用通孔互连，用于正面电路上表贴芯片等有源和无源元件的接地。

目前制作微波薄膜混合集成电路的方法流程图如图1～图7所示。图1中，在陶瓷衬底上激光打孔，形成通孔。图2中，在器件的正反面沉积种子层。图3中，在器件的正面涂覆光刻胶。图4中，对器件正面通过光刻进行图形化，形成图形电路。图5中，电镀加厚器件正反面的种子层和孔内的种子层，使图形电路加厚。图6中，去除光刻胶。图7中，刻蚀非图形电路区的种子层，完成薄膜电路的制作。

对于一般的衬底(即不打通孔的衬底)，在涂覆光刻胶中的方法选择中，采用旋涂光刻胶工序可以使得光刻胶的涂覆效果最好。旋涂光刻胶工序是将薄膜衬底采用真空吸附的方式将衬底固定在承片台，并由电机带着承片台高速旋转，从而使光刻胶均匀覆盖在衬底表面。而目前的方法在制作微波薄膜混合集成电路时，由于衬底打孔后无法实现通过真空吸附的方式固定衬底，故将衬底的固定方式由真空吸附改为销钉机械固定。然而，销钉机械固定对机械手位置精度要求非常高，承片台机械固定不牢固，就容易飞片，固定不精准，就无法均匀涂胶，工艺难度大。并且，由于通孔内的光刻胶较多，在光刻显影过程中通孔内光刻胶显影困难：显影时间短，导致通孔内光刻胶残留，在后续电镀加厚过程中通孔内镀层不连续，影响通孔互连的质量；显影时间长，就对衬底正面作为掩膜层的光刻胶造成较大影响，这两种情况均会影响成片的精度。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种微波薄膜混合集成电路的制备方法，以提高现有的微波薄膜混合集成电路的制备方法工艺难度大和成片精度低的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种微波薄膜混合集成电路的制备方法，包括：

在衬底上打孔形成通孔；

在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；

通过临时填充层填充所述通孔；

通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；

对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；

去除所述临时填充层；

对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；

去除所述光刻胶掩膜；

去除预设区域的种子层。

可选的，所述衬底包括氧化铝陶瓷衬底、氮化铝陶瓷衬底、蓝宝石衬底和微晶玻璃衬底中的任意一种。

可选的，所述在器件正面和背面沉积种子层，包括：通过物理气相沉积和/或化学气相沉积的方式在器件正面和背面沉积种子层。

可选的，所述种子层材料包括TaN/TiW/Au合金、TiW/Au合金和Ti/Cu合金中的任意一种。