[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 202010079118.3 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111554571A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 佐野要平 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括对基片进行热处理的热处理单元，其中，基片形成有含金属抗蚀剂的覆膜且已对该覆膜实施了曝光处理。热处理单元包括：支承基片并对其进行加热的热板；覆盖热板上的处理空间的腔室；在腔室内从上方向热板上的基片释放含有水分的气体的气体释放部；从处理空间的外周对腔室内进行排气的排气部；和设置于腔室的用于加热腔室的加热器。本发明对使用了含金属抗蚀剂的抗蚀剂图案的品质的稳定性是有效的。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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