[发明专利]具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物在审
| 申请号： | 202010078380.6 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111554807A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 郑在佑;斯图尔特·S·P·帕金;希拉格·加尔各;马赫什·G·萨曼特;帕纳约蒂斯·哈里劳斯·菲利波;亚里·费兰特 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
描述了包括多层结构的器件，所述多层结构包括三层。第一层为磁性Heusler化合物，第二层(用作间隔件层)在室温下为非磁性的，并且包括Ru和至少一种其它元素E(优选地：Al；或者Ga或Al与Ga、Ge、Sn或它们的组合的合金)的交替层，并且第三层也为磁性Heusler化合物。第二层的成分表示为Ru |
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| 搜索关键词： | 具有 用于 形成 合成 磁体 磁性 间隔 heusler 化合物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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