[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010078270.X 申请日: 2020-02-03
公开(公告)号: CN111519247A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮 申请(专利权)人: 国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社
主分类号: C30B28/14 分类号: C30B28/14;C30B29/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 葛凡
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括:准备种基板的工序;以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式,供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体,从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序,P0为III族氧化物气体的供给分压,Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
搜索关键词: iii 氮化物 结晶 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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