[发明专利]构造体形成方法和由构造体形成方法形成的设备有效
| 申请号： | 202010077060.9 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111508832B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 稻叶正吾 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;G01P15/125 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 沈丹阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种构造体形成方法和由构造体形成方法形成的设备，其中，构造体形成方法通过干式蚀刻在基板形成第一孔和宽度比所述第一孔小的第二孔，从而形成构造体，所述构造体形成方法具备：在所述基板形成蚀刻掩模的工序、蚀刻所述蚀刻掩模的与形成所述第一孔的第一孔形成区域重叠的部分的工序、蚀刻所述蚀刻掩模的与形成所述第二孔的第二孔形成区域重叠的部分的工序、以及将所述蚀刻掩模作为掩模对所述基板进行干式蚀刻的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 构造 体形 成方 形成 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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