[发明专利]用于生产薄膜晶体管装置的导体蚀刻在审
| 申请号： | 202010074616.9 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111508894A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 珍·琼格曼;布莱恩·阿斯匹灵;乔佛瑞·杜瑞 | 申请（专利权）人： | 弗莱克英纳宝有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;谢琼慧 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，包括：在限定用于薄膜晶体管装置的第一层级导体的第一导体图案上形成有机聚合物绝缘体；在有机聚合物绝缘体上形成第一导体层；在第一导体层上形成第二导体层；通过包括在选定区域中使第二导体层暴露于液体蚀刻剂的技术，对第二导体层进行图案化，以形成限定用于薄膜晶体管装置的第二层级导体的第二导体图案，其中：第一导体层至少位于选定区域中；第一导体层和有机聚合物绝缘体包括表面材料，表面材料对液体蚀刻剂表现出实质上为零的蚀刻速率；第一导体层对液体蚀刻剂的渗透性低于有机聚合物绝缘体，和/或对液体蚀刻剂的抗损性高于有机聚合物绝缘体；以及之后对第一导体层进行图案化。借此改良用于生产薄膜晶体管装置的导体蚀刻过程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 薄膜晶体管 装置 导体 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
