[发明专利]传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010059520.5 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113138039B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 许镇宗;刘艳花;黄文彬 | 申请（专利权）人： | 苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学 |
| 主分类号： | G01L1/00 | 分类号： | G01L1/00;G01L11/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐静芳 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种传感器及其制备方法，可应用于穿戴设备。该传感器包括基底和形成在所述基底上的传感层，所述基底具有形成微纳图案的微沟槽，所述传感层形成在所述微沟槽内，所述传感层包括呈三明治结构的MXene层、CNT层及MXene层。该传感器的制备方法，包括：S1、提供基底，所述基底具有形成微纳图案的微沟槽；S2、制备传感层，在所述微沟槽内依次形成MXene层、CNT层及MXene层。通过在基底的微沟槽内形成MXenes‑CNT‑MXenes三明治结构的传感层，解决由于沟槽槽深较浅，Mxene溶液刮涂困难的难题，还增强了传感层的导电性能，提高了灵敏度；且传感器具有透明，可拉伸，压力感知范围大的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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