[发明专利]功率放大电路在审
申请号: | 202010056911.1 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111541424A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 长谷昌俊;田中聪 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/30;H03F3/213;H03F3/195 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朴云龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够抑制基板的基准电位的变动的功率放大电路。功率放大电路(10)具备基板(301)和设置在基板的半导体芯片(201),半导体芯片具有:功率放大部(211),对RF信号进行放大;接地端子(231a),连接功率放大部(211)的接地;以及电路元件(411),一端不经由半导体芯片的外部而与接地端子电连接。基板具有:电路元件(412),一端与功率放大部的输出电连接,另一端与电路元件(411)的另一端电连接。电路元件(411)以及电路元件(412)构成高次谐波终止电路(410),高次谐波终止电路使作为来自功率放大部的放大信号的RF信号(RF2)的高次谐波分量(RF3)向功率放大部反射。 | ||
搜索关键词: | 功率 放大 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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