[发明专利]功率放大电路

说明书

本发明提供一种能够抑制基板的基准电位的变动的功率放大电路。功率放大电路(10)具备基板(301)和设置在基板的半导体芯片(201)，半导体芯片具有：功率放大部(211)，对RF信号进行放大；接地端子(231a)，连接功率放大部(211)的接地；以及电路元件(411)，一端不经由半导体芯片的外部而与接地端子电连接。基板具有：电路元件(412)，一端与功率放大部的输出电连接，另一端与电路元件(411)的另一端电连接。电路元件(411)以及电路元件(412)构成高次谐波终止电路(410)，高次谐波终止电路使作为来自功率放大部的放大信号的RF信号(RF2)的高次谐波分量(RF3)向功率放大部反射。

技术领域

本发明涉及功率放大电路。

背景技术

在使用了无线频率信号的通信中，为了放大无线频率信号而使用功率放大电路。在放大无线频率信号时，要求功率放大电路抑制无线频率信号的高次谐波分量。

在专利文献1作为功率放大电路而示出了如下的高频放大器，即，在半导体芯片设置晶体管、电感器以及电容，并将半导体芯片安装到模块基板。在专利文献1记载的功率放大电路中，通过半导体芯片上的集成化电容、连结半导体芯片和模块基板的引线、以及模块基板上的布线设置了高次谐波终止电路。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2003/0076174号说明书

设置在专利文献1记载的功率放大电路的高次谐波终止电路通过与模块基板的接地连接，从而被接地。模块基板的接地与半导体芯片的接地连接。设置在半导体芯片的晶体管参照半导体芯片的基准电位。

在高次谐波终止电路与模块基板的接地连接的情况下，被高次谐波终止电路终止到接地的电流作为回流电流而从模块基板的接地流向半导体芯片的接地。

该回流电流使模块基板的基准电位变动。若模块基板的基准电位变动，则参照模块基板的基准电位的其它电路的性能劣化。

发明内容

发明要解决的课题

本发明是鉴于这样的情形而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制基板的基准电位的变动的功率放大电路。

用于解决课题的技术方案

本发明的一个方面涉及的功率放大电路具备基板和设置在基板的半导体芯片。半导体芯片具有：功率放大部，对无线频率信号进行放大；第一接地端子，连接功率放大部的接地；以及第一电路元件，一端不经由半导体芯片的外部而与第一接地端子电连接。基板具有：第二电路元件，一端与功率放大部的输出电连接，另一端与第一电路元件的另一端电连接。第一电路元件以及第二电路元件构成高次谐波终止电路。高次谐波终止电路使来自功率放大部的放大信号的高次谐波分量向功率放大部反射。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够抑制基板的基准电位的变动的功率放大电路。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的框图。

图2是本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路的框图。

图3是本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路的框图。

附图标记说明

10、10A、10B：功率放大电路，201、201A、201B：半导体芯片，211、211A：功率放大部，231a、231b、231c、3415：接地端子，301、301B：基板，311：电源电路，321：输出匹配电路，331：接地部，410、420：高次谐波终止电路。

具体实施方式