[发明专利]PMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010054524.4 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111244154B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李中华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PMOS器件的制造方法，包括：步骤一、定义出有源区，形成N型阱和栅极结构，进行PMOS器件的自对准源漏外延离子注入及退火；步骤二、进行光刻定义加刻蚀形成第一沟槽；步骤三、采用TMAH溶液进行湿法刻蚀使第一沟槽具有Σ形貌；步骤四、进行硼或氟化硼杂质的离子注入在第一沟槽暴露出的N型阱表面掺入硼或氟化硼杂质，以降低漏阱结中N型阱的掺杂浓度并使漏阱结展宽；步骤五、进行锗硅外延生长在第一沟槽中填充嵌入式锗硅外延层；步骤六、进行自对准的P+源漏注入形成源区和漏区。本发明还公开了一种PMOS器件。本发明能有效增加漏阱结的耗尽区宽度，能降低漏阱结的有效电场强度，提高空穴的迁移率和空穴浓度以及减少漏阱结处的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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