[发明专利]用于LDMOS的屏蔽接触结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010054253.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111223917A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨杰;李煦;夏洪旭 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 刘小峰 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于LDMOS的屏蔽接触结构，包含设置于多晶硅栅上的第一接触点、设置于STI区内的第二接触点和连接第一接触点和第二接触点的导电金属，第二接触点设置于STI区内的多晶硅上。该屏蔽接触结构能够确保接触点在STI内具有稳定的深度，提高了屏蔽接触结构以及LDMOS的可靠性。本发明同时提供一种包含该屏蔽接触结构的LDMOS器件以及一种用于LDMOS的屏蔽接触结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ldmos 屏蔽 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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