[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010050572.6 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111463277A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 登尾正人;斋藤顺;渡边行彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括倒置型半导体元件，该倒置型半导体元件包括：半导体衬底(1)；形成于半导体衬底上的第一导电类型层(2)；形成于第一导电类型层上并包括线性形状部分的电场阻挡层(4)；形成于第一导电类型层上并具有线性形状部分的JFET(3)部分；形成于电场阻挡层和JFET部分上的电流分散层(5)；形成于电场阻挡层和JFET部分上的深层(7)；形成于电流分散层和深层上的基区(6)；形成于基区上的源区(8)；包括栅极沟槽(11)、栅极绝缘膜(12)和栅电极(13)并布置成条形形状的沟槽栅极结构；层间绝缘(14)；源电极(15)；以及形成于半导体衬底的背表面侧上的漏电极(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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