[发明专利]六边形互扣式电极三维硅探测器在审
申请号: | 202010045297.9 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN111146298A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 李正;聂谦;刘曼文 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/08;H01L31/18 |
代理公司: | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人: | 刘熙 |
地址: | 411105 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种六边形互扣式电极三维硅探测器,包括六棱柱状的隔离硅体,隔离硅体的中心轴向设有中心电极,隔离硅体的六个侧面设有上下拼接的第一沟槽电极和第二沟槽电极,第一沟槽电极由两块C形沟槽电极卡扣而成,第一沟槽电极和中心电极的顶部设有金属接触层,金属接触层之间的隔离硅体顶部设有二氧化硅保护层,第二沟槽电极、中心电极和隔离硅体的底部设有二氧化硅保护层;本发明制备的六边形互扣式电极三维硅探测器死区小、内部电场分布均匀、电荷收集性能好,探测单元之间的单元独立性良好,探测效率高,对硅晶圆的利用率高。 | ||
搜索关键词: | 六边形 互扣式 电极 三维 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的