[发明专利]一种降低量子阱位错密度的LED外延生长方法

摘要

本申请公开一种降低量子阱位错密度的LED外延生长方法，包括：处理蓝宝石衬底；顺次生长低温缓冲GaN层、不掺杂GaN层；生长掺杂Si的N型GaN层；生长多量子阱发光层：在SiH4用量0.2‑2sccm的条件下，生长2.0‑4.0nm的InxGa(1‑x)N阱层(x＝0.18‑0.23)；生长8‑14nm的GaN垒层；InxGa(1‑x)N阱层(x＝0.18‑0.23)和GaN垒层周期生长组成多量子阱发光层，周期数为6‑15，总体厚度为120‑300nm；生长掺Al、Mg的PAlGaN电子阻挡层；生长掺Mg的P型GaN层；降温冷却。本申请通过高低压生长量子阱垒层，量子阱中掺Si提高了发光效率。