[发明专利]一种基于微球自组装和倾斜角沉积技术的复合纳米孔阵列基底及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010035900.5 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN111186813A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 韩彩芹;宋宇航;王琴 申请(专利权)人: 江苏师范大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种基于微球自组装和倾斜角沉积技术的复合纳米孔阵列基底及其制备方法,包括:根据PS小球阵列的阴影沉积效应,预测设计一种三次沉积的复合纳米孔阵列基底的结构;利用软件建立模型,设置相应的模拟参数,计算出该预测结构的局部电场分布和透射反射光谱,从而计算出该结构的吸收光谱,并不断优化结构参数;依据计算结果制备出复合纳米孔阵列基底。本发明的制备方法,能够有效发挥空气/水液面单层PS小球自组装和倾斜角沉积技术的优势,可以产生各种大小,形状和组成不同的复杂图案的规则有序的复合纳米孔阵列基底,同时过程简单,操作便捷,利于规模化生产;制备的复合纳米孔阵列基底同时具有灵敏度高、增强效果显著、可重复性强等优点。
搜索关键词: 一种 基于 组装 倾斜角 沉积 技术 复合 纳米 阵列 基底 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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