[发明专利]光检测装置在审
申请号: | 202010024135.7 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111725347A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 安田健介;户田顺之;河原慎二;山浦和章;山本武志 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0352;H01L27/144 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 金春实 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式的光检测装置是设定有相邻的第一单元和第二单元的光检测装置。所述光检测装置具备:第一导电类型的第一半导体层;第二导电类型的第二半导体层,设置于所述第一半导体层上;第一构件,设置于所述第一单元与所述第二单元之间,由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成;第二构件,设置于所述第一构件与所述第一单元之间,由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成;以及第三构件,设置于所述第一构件与所述第二单元之间,由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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