[发明专利]用于MRAM阵列的磁屏蔽结构在审
| 申请号： | 202010024087.1 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111435704A | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西斯科斯·皮特鲁斯·韦德索文;安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22;H01L23/552 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种封装半导体装置的实施例，所述封装半导体装置包括：半导体管芯，所述半导体管芯具有有源侧和相对的背侧，所述半导体管芯包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元阵列，所述MRAM单元阵列形成于所述半导体管芯的所述有源侧上的MRAM区域内；以及顶盖，所述顶盖包括定位在所述半导体管芯的所述背侧上的软磁材料，其中所述顶盖包括形成于所述顶盖的第一主表面中的凹陷，所述第一主表面面对所述半导体管芯的所述背侧，并且所述凹陷定位在所述MRAM单元阵列上方。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mram 阵列 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
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