[发明专利]一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法及其应用在审
| 申请号： | 202010022878.0 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111218720A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 耿莉;李安鸽;杨明超;刘江;刘成;刘卫华;郝跃;张勇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B33/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法及其应用，对待处理的P型III族氮化物半导体材料进行标准清洗；用氧化物刻蚀剂处理清洗后的P型III族氮化物半导体材料；将清洗后的P型III族氮化物半导体材放到支架上，一起放入反应釜中并注入氧化性气体；将反应釜升温至380～450℃，并保压处理使氧化性气体处于超临界状态，持续冲入氧化性气体；反应结束后将反应釜冷却至室温，将压力降至大气压后取出激活P型氮化物。本发明操作简便、无需高温、避免材料分解，制备出具有较高空穴浓度和载流子迁移率的P型材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 临界 气体 激活 氮化物 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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