[发明专利]一种高击穿电压低反向漏电的垂直GaN肖特基器件结构有效
| 申请号： | 202010022876.1 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111192928B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 耿莉;刘成;杨明超;刘江;李安鸽;刘卫华;郝跃;张勇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高击穿电压低反向漏电的垂直GaN肖特基器件结构，包括第一导电类型高掺杂GaN层、第一导电类型低掺杂GaN层、第二导电类型NiO填充层、SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 击穿 压低 反向 漏电 垂直 gan 肖特基 器件 结构 | ||
【主权项】：
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