[发明专利]涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置在审
| 申请号： | 202010017203.7 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111463112A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 稻叶翔吾 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在基片表面形成涂敷膜的涂敷膜形成方法，其包括：涂敷扩散步骤，在上表面具有开口的涂敷杯状体内，使基片以第1转速旋转，对基片的表面供给用于形成所述涂敷膜的涂敷液，使该涂覆液扩散；和干燥步骤，在所述涂敷扩散步骤之后，一边使基片以比所述第1转速低的第2转速旋转，一边从环状部件与基片表面之间的间隙进行排气，其中，所述环状部件以其中心与基片表面的中心位于同轴上的方式配置在基片的上方，且具有使其外周端部位于与基片的外周端部的位置相同或其外侧的位置的大小，在所述干燥步骤中，与所述涂敷扩散步骤中的涂敷杯状体内的排气相比以更高的压力进行排气。由此，能够在基片的面内快速形成均匀性良好的膜厚的涂敷膜。 | ||
| 搜索关键词： | 涂敷膜 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
