[发明专利]一种压电式传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010008412.5 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111174951A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;胡博豪;刘婕妤;林炳辉;谢英 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;G01L9/08;B81B7/02;B81B7/00;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 许莲英 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种压电式传感器及其制备方法，所述压电式传感器包括：基板、多个压电悬臂梁、固定柱；基板带有多个空腔；压电悬臂梁为双晶片结构，或者由单晶片结构和支撑层组成，压电悬臂梁的自由端面积大于固定端面积；固定柱设置在基板中心用于固定压电悬臂梁。本发明提供的压电式传感器通过提出一种新的压电悬臂梁的结构形式，结合带有特定形状和深度空腔的衬底，可显著提升传感器灵敏度等性能。所述压电式传感器的制备方法，包括：带有空腔衬底的加工，衬底之上压电悬臂梁中支撑层和压电叠层的沉积和刻蚀。所述制备方法，工艺简单，兼容性强，适用于包含各类压电材料和各类衬底的压电式传感器加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010008412.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钙钛矿光伏电池及其制备方法
- 下一篇：指针设备
