[发明专利]一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池生产的氧化方法有效
| 申请号： | 202010003779.8 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN113078237B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;何秋霞;马擎天 | 申请（专利权）人： | 环晟光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池生产的氧化方法，包括以下步骤，对待氧化的硅片进行切割，将硅片一分为二，形成半片硅片；采用直插式，将半片硅片进行插片；对半片硅片进行氧化。本发明的有益效果是用于大尺寸硅片进行氧化，将硅片切割成半片硅片，并采用直插式插片，进行硅片氧化，降低改造成本，满足硅片氧化需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半片大 尺寸 硅片 电池 生产 氧化 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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