[发明专利]一种片状SnSe单晶的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010002921.7 申请日: 2020-01-02
公开(公告)号: CN111139519B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 曾昱嘉;廖晓奇;张素允 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C30B7/14 分类号: C30B7/14;C30B29/46;H01L35/16
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种片状SnSe单晶的制备方法,该方法制备工艺如下:将Se粉分散在乙醇胺溶剂中获得硒源前驱体溶液A,然后称取一定量的SnCl2·2H2O溶解于蒸馏水,搅拌至完全溶解,得到锡源溶液B;将溶液B滴入到溶液A中形成混合溶液C,并加入NaOH调节溶液C的pH值;最后,将搅拌均匀的溶液C移至水热反应釜中,在200~230℃下保温至少6小时后自然冷却至室温,经抽滤、洗涤、真空干燥获得银白色片状SnSe材料。本发明采用溶剂热生长SnSe材料,得到了大尺寸高质量的片状单晶(1mm),不仅为高性能热电材料制备提供了新途径,同时也可直接通过各种剥离手段研究其二维尺度的本征性能,此方法制备方法简单,成本低,可重复性高,晶体生长周期短,产量高,适合大规模生产。
搜索关键词: 一种 片状 snse 制备 方法
【主权项】:
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