[发明专利]高耐热及低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201980102029.1 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114651035A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 白承烈;赵珉相;田珍硕;金纪勋;李吉男 | 申请（专利权）人： | 聚酰亚胺先端材料有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08G73/10;B32B27/28;B32B15/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李光辉;姚开丽 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种聚酰亚胺薄膜，该聚酰亚胺薄膜是使包含选自由二苯酮四甲酸二酐(BTDA)、联苯四甲酸二酐(BPDA)及均苯四甲酸二酐(PMDA)组成的组中的两种以上的二酐成分与包含由间联甲苯胺(m‑tolidine)及对苯二胺(PPD)组成的二胺成分的聚酰胺酸溶液发生酰亚胺化反应而获得的，其玻璃化转变温度(Tg)为320℃以上，吸湿率为0.4％以下，介电损耗因子(Df)为0.004以下。 | ||
| 搜索关键词： | 耐热 低介电质 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚酰亚胺先端材料有限公司，未经聚酰亚胺先端材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980102029.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于WUS检测的方法及设备
- 下一篇：用于参考信令设计和配置的系统和方法
