[发明专利]高耐热及低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜是使包含二酐成分和二胺成分的聚酰胺酸溶液发生酰亚胺化反应而获得的，所述二酐成分包含选自由二苯酮四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐及均苯四甲酸二酐组成的组中的两种以上，所述二胺成分包含间联甲苯胺及对苯二胺，

以所述二胺成分的总含量100摩尔％为基准，所述间联甲苯胺的含量为20摩尔％以上且40摩尔％以下，所述对苯二胺的含量为60摩尔％以上且80摩尔％以下。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其中，

以所述二酐成分的总含量100摩尔％为基准，所述二苯酮四甲酸二酐的含量为10摩尔％以上且40摩尔％以下，

所述联苯四甲酸二酐的含量为30摩尔％以上且80摩尔％以下。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其中，所述聚酰亚胺薄膜包含由两个以上的嵌段组成的嵌段共聚物。

4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其中，所述聚酰亚胺薄膜包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含：

第一嵌段，所述第一嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐及联苯四甲酸二酐的二酐成分与包含对苯二胺的二胺成分发生酰亚胺化反应而获得的；以及

第二嵌段，所述第二嵌段是使包含均苯四甲酸二酐的二酐成分与包含间联甲苯胺的二胺成分发生酰亚胺化反应而获得的。

5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其中，所述聚酰亚胺薄膜的玻璃化转变温度为320℃以上，

吸湿率为0.4％以下，

介电损耗因子为0.004以下。

6.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括：

步骤(a)，将第一二酐成分及第一二胺成分在有机溶剂中聚合而制备第一聚酰胺酸；

步骤(b)，将第二二酐成分及第二二胺成分在有机溶剂中聚合而制备第二聚酰胺酸；

步骤(c)，将所述第一聚酰胺酸及所述第二聚酰胺酸在有机溶剂中共聚而制备第三聚酰胺酸；以及

步骤(d)，将包含所述第三聚酰胺酸的前体组合物在支撑体上制膜后进行酰亚胺化，

所述第一二酐成分及所述第二二酐成分分别包含选自由二苯酮四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐及均苯四甲酸二酐组成的组中的两种以上，

所述第一二胺成分及所述第二二胺成分分别包含选自由间联甲苯胺及对苯二胺组成的组中的一种以上。

7.根据权利要求6所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其中，以所述第一二胺成分及所述第二二胺成分的总含量100摩尔％为基准，所述间联甲苯胺的含量为20摩尔％以上且40摩尔％以下，所述对苯二胺的含量为60摩尔％以上且80摩尔％以下，

以所述第一二酐成分及所述第二二酐成分的总含量100摩尔％为基准，二苯酮四甲酸二酐的含量为10摩尔％以上且40摩尔％以下，所述联苯四甲酸二酐的含量为30摩尔％以上且80摩尔％以下。

8.根据权利要求6所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其中，所述第一聚酰胺酸包含包含二苯酮四甲酸二酐及联苯四甲酸二酐的二酐成分和包含对苯二胺的二胺成分，

所述第二聚酰胺酸包含包含均苯四甲酸二酐的二酐成分和包含间联甲苯胺的二胺成分。

9.根据权利要求6所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其中，所述聚酰亚胺薄膜的玻璃化转变温度为320℃以上，

吸湿率为0.4％以下，

介电损耗因子为0.004以下。

10.一种多层薄膜，包含根据权利要求1至5中任一项所述的聚酰亚胺薄膜和热塑性树脂层。

11.一种柔性金属箔层压板，包含根据权利要求1至5中任一项所述的聚酰亚胺薄膜和导电性的金属箔。

12.一种电子部件，包含根据权利要求11的柔性金属箔层压板。