[发明专利]像素结构及像素结构的制造方法在审
| 申请号： | 201980099784.9 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN114287060A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 施琛;潘撼;巩啸风;唐样洋 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01B11/14;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种像素结构(2003)及像素结构(2003)的制造方法，像素结构(2003)包括：调制栅极组，调制栅极组包括：设置在衬底(201)第一表面(2011)的至少一个第一调制栅极(PGA)和至少一个第二调制栅极(PGB)，第二调制栅极(PGB)和第一调制栅极(PGA)分别被互补调制；以及衬底(201)，包括：两个载流子存储区域，分别在第一方向上位于衬底(201)的两侧，第一方向为平行于第一表面(2011)的方向；以及载流子收集区域(202)，在第一方向上位于两个载流子存储区域之间，且与调制栅极组接触于第一表面(2011)，其中载流子收集区域(202)与两个载流子存储区域的掺杂类型相同，载流子收集区域(202)与衬底(201)的掺杂类型相反，载流子收集区域(202)的掺杂浓度大于衬底(201)的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
